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苏州清煜半导体申请沉积有复合涂层的多孔石墨片及其制备方法专利，避免多孔石墨片被碳化硅气氛腐蚀:石墨碳片
金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司申请一项名为“一种沉积有复合涂层的多孔石墨片及其制备方法、应用”的专利，公开号CN120518399A，申请日期为20
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司申请一项名为“一种沉积有复合涂层的多孔石墨片及其制备方法、应用”的专利，公开号CN120518399A，申请日期为20